MRAM supersnel door nieuwe techniek

Onderzoekers van het Duitse meetinstituut Physikalisch-Technische Bundesanstalt (PTB) hebben een nieuwe manier gevonden om MRAM-geheugencellen aan te sturen, waardoor de responstijd van 2 ns wordt teruggebracht naar minder dan 500 ps. Hiermee wordt MRAM een concurrent van het snelste ‘vluchtige’ RAM-geheugen. Door de nieuwe aansturingstechniek worden ook het energieverbruik Lees verder »