Elektronen lijken zwaarder in extreem dun silicium

Al decennialang worden transistoren steeds kleiner. Uit onderzoek van Jan-Laurens van der Steen van het MESA+ Instituut voor Nanotechnologie van de Universiteit Twente blijkt nu dat elektronen in silicium van minder dan tien nanometer dik heel andere eigenschappen krijgen. Om de eigenschappen op deze schaal inzichtelijk te maken werkte hij aan een nauwkeurig model dat van groot belang is voor de Lees verder »