MRAM supersnel door nieuwe techniek

Onderzoekers van het Duitse meetinstituut Physikalisch-Technische Bundesanstalt (PTB) hebben een nieuwe manier gevonden om MRAM-geheugencellen aan te sturen, waardoor de responstijd van 2 ns wordt teruggebracht naar minder dan 500 ps. Hiermee wordt MRAM een concurrent van het snelste ‘vluchtige’ RAM-geheugen. Door de nieuwe aansturingstechniek worden ook het energieverbruik en de bit-error-rate gereduceerd.
MRAM (Magnetoresistive Random Access Memory) maakt gebruik van de twee ‘voorkeursrichtingen’ van een magnetiseerbaar materiaal om een ‘1’ of een ‘0’ op te slaan. Het is een niet-vluchtig geheugentype (zoals flash-geheugen) dat de informatie niet verliest als de voedingsspanning wordt uitgeschakeld. Tot nu toe werd de schrijfsnelheid van de geheugencellen echter beperkt door een magnetisch uitslingerverschijnsel in naastgelegen cellen. Het duurde ongeveer 2 ns voordat de trillingen van deze cellen voldoende waren gedempt om aan een volgende schrijfactie te kunnen beginnen. Bij de nieuwe aansturingstechniek wordt de magnetisatie van cellen waarvan de inhoud moet wijzigen over een hoek van 180° gedraaid, terwijl de magnetisatie van cellen die niet wijzigen over een hoek van 360° wordt gedraaid. Hierdoor worden alle cellen in een stabiele toestand geforceerd en treedt uitslingering niet meer op.

Meer info: www.ptb.de/en/aktuelles/archiv/presseinfos/pi2011/pitext/pi110308.html

Bron: Elektor